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利用薄膜生长技术，通过控制材料的厚度来调整阱宽，控制组分来调整阱深，得到了不同光电特性的超晶格半导体材料。为克服“方形”势阱过于简单和理想的缺点，引入非对称相互作用势来描述组分超晶格量子阱。在量子力学框架内，把电子的Schrodinger方程转化为超几何方程，用系统参数和超几何函数严格地求解了电子的本征值和本征函数，并以Ga1-xAlxAs-GaAs-Ga1-xAlxAs量子阱为例计算了电子的带内跃迁。结果表明，阱内的能级数目和跃迁能量与系统参数有关，适当调节参数可得到不同光电性能的超晶格量子阱。