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采用脉冲激光烧蚀装置，在不同环境气体下，沉积制备了含有纳米Si晶粒的薄膜。利用扫描电子显微镜（SEM）观察样品的表面形貌，并对晶粒尺寸进行统计分析．发现不同环境气体下，纳米Si晶粒平均尺寸均随衬底与靶的距离增加有着先增大后减小的规律；通过分析比较，同等条件下Ne气环境下制备的纳米si晶粒平均尺寸最小。