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通过简单的两步热蒸发方法成功地实现了ZnO纳米管和纳米棒的集成。SEM结果表明，大量的纳米线以层层生长的机理从约200℃低温Si基片表面生长出来。EDS和XRD结果进一步表明第一步所制备的样品主要是由大量Zn和少量Zn的氧化物组成。第二步所制备样品的SEM和TME图像证实了在高温下以第一步所制备的样品作为第二步的基片，可实现纳米管和纳米棒的集成。TEM图像表明，纳米管的表面所生长的纳米棒是单晶的。通过改变工作气压，可调控纳米管表面纳米棒的尺寸和形貌，实现ZnO纳米结构可控生长。室温光致发光谱表明，样品的光