功率MOSFET——八十年代的动力

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采用垂直电流器件和使用多晶硅作栅材料,在制作功率MOSFET实用器件中起着重要的作用。随着导通电阻的降低,单元密度显著地增加。在分立晶体管元件市场,高性能的和具有价格竞争能力的MOSFET正成功地向占优势的双极器件挑战。 The use of vertical current devices and the use of polysilicon as the gate material in the production of power MOSFET devices plays an important role. As the on-resistance decreases, the cell density increases significantly. In the discrete transistor component market, high-performance and competitively priced MOSFETs are successfully challenging pre-dominating bipolar devices.
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