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采用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术通过改变N2O流量低温制备不同微观结构的镶嵌纳米晶硅的富硅氧化硅(nc-Si/SiOx)薄膜,利用傅里叶变换红外(FTIR)透射光谱和Raman光谱技术研究薄膜中氢含量和氧含量变化及其对薄膜晶化度、纳米晶硅粒子大小、薄膜混合相比例的影响.实验表明,随着N2O比例增加,由于逐渐增强的氧化反应阻碍了纳米晶硅的生长,导致晶硅比例减少和非晶成分增加,同时薄膜晶化度下降.混合相中晶界的比例随N2O先增后减,当N2O达到一定值时形成稳定界面.