【摘 要】
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建立了基于低温等离子体（Low temperature plasma）剥蚀系统将固体样品直接引入电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）并用于电路板镀层中Au,Ni和Cu的深度分析。此实验中采用介质阻挡放电（D
【机 构】
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清华大学化学系,聚光科技杭州股份有限公司
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建立了基于低温等离子体（Low temperature plasma）剥蚀系统将固体样品直接引入电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）并用于电路板镀层中Au,Ni和Cu的深度分析。此实验中采用介质阻挡放电（DBD）方式产生低温等离子体探针,逐层剥蚀样品表面,由ICPMS检测元素信号。对DBD所用放电气体种类、外加电场功率、放电气体流速和采样深度等实验条件进行优化。在优化条件下,应用LTP-ICPMS在30 s内完成电路板镀层（20μm Au/10μm Ni/Cu基底）的逐层剥蚀和深度分析,元素种类和分层顺序
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