聚硅氧烷先驱体转化制备2D Cf/Si-O-C材料

来源 :国防科技大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wumin0371
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以二维碳纤维布和廉价的聚硅氧烷为原料,采用先驱体转化工艺制备2D Cf/Si-O-C材料,对其力学性能进行了考察,并与以聚碳硅烷为先驱体制备的2D Cf/SiC材料在价格和性能方面进行了对比。实验表明,2D Cf/Si-O-C材料力学性能较2D Cg/SiC材料有所下降,但成本大大降低。2D Cf/Si-O-C材料弯曲强度达到157.9MPa,断裂韧性达到8.4MPa·m^1/2,剪切强度达到23.4MPa,并且在1400 ℃下能较好保持材料的力学性能。
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