【摘 要】
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用电子束蒸发方法在10~(-7)托真空中使单晶硅上蒸上一层Ti膜后,于N_2中进行从500-1000℃10秒钟的快速热退火,由激光喇曼光谱结合薄层电阻测量和转靶X射线衍射研究分析了TiSi_
【机 构】
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南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系,南京固体器件研究所 南京,南京,南京,南京,南京,南京
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用电子束蒸发方法在10~(-7)托真空中使单晶硅上蒸上一层Ti膜后,于N_2中进行从500-1000℃10秒钟的快速热退火,由激光喇曼光谱结合薄层电阻测量和转靶X射线衍射研究分析了TiSi_2的形成.退火温度高于680℃时,观察到207和244cm~(-1)波数处的两个TiSi_2的特征喇曼峰,当退火温度为580℃时,只有270,297和3ncm~(-1)的三个喇曼峰,这些可能是钛的氧化物和不包括TiSi的钛硅化物.
After evaporating a Ti film on single crystal silicon by electron beam evaporation in a vacuum of 10-7 Torr, rapid thermal annealing from 500-1000 ° C for 10 seconds was carried out in N 2, and laser annealing was performed by laser Raman spectroscopy The formation of TiSi 2 was analyzed by means of the measurement of sheet resistance and the X-ray diffraction of the target. When the annealing temperature was higher than 680 ℃, the Raman peaks of two TiSi 2 at 207 and 244 cm -1 wavenumbers were observed. At 580 ℃, there are only three Raman peaks of 270, 297 and 3ncm -1, which may be titanium oxides and titanium silicides without TiSi.
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