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采用新近研制的高真空／快速热处理／化学气相淀积（HV／RTP／CVD）系统生长了应变SiGe材料。通过仔细设计的处理过程可以得到器件质量的材料。Ge组分可以变化至0.25，可以得到控制良好的n型和p型掺杂层，适用于异质结双极型晶体管（HBT）的制作。研究了SiGeHBT的n-Si/i-p^+-iSiGe/n-Si结构。所制作出的微波HBT性能良好，证明了设备和工艺的水平。