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研究了三种方法制备的氮化硅薄膜的组成、表面结构、热氧化稳定性以及抗离子束损伤等性能。研究发现APCVD法制备氮化硅薄膜的Si3N4含量最高,PRSD法制备的薄膜次之,而PECVD法制备的薄膜Si3N4含量最低。在PRSD薄膜中没有N-H键存在,仅有少量的Si-H键存在,薄膜的热氧化稳定性和抗离子束损伤性能最好。APCVD薄膜中含有少量的N-H和Si-H键,虽然膜层的热稳定性很好,但由于膜层具有较多的缺陷,因此其抗氧化性较差,抗离子束损伤性能也不好。对于PECVD薄膜,由于其形成温度较低,膜层中含有大量的N