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用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnSe-ZnS超晶格。用化学腐蚀方法在GaAs衬底上开一个通光窗口,使该窗上仅剩有1~1.8μm厚的生长层。室温下测量了蚀孔后由于化学腐蚀造成生长层表面差异的ZnSe-ZnS超晶格的吸收光谱。研究了带有生长过渡层和无过渡层的超晶格质量对其吸收光谱性能的影响。发现过渡层的存在保护了超晶格激子吸收性能。在此基础上首次采用新工艺在3×3mm^2面积上把GaAs衬底全