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采用电子束物理气相沉积（EB-PVD）制备3Gd2O3—3Yb2O3-4Y2O3（摩尔分数，％）共掺杂的二氧化锆（GY-YSZ）基热障涂层（TBCs）。采用交流阻抗谱（IS）并结合扫描电子显微镜（SEM）、拉曼光谱和X射线衍射分析仪（XRD），研究GY-YSZ涂层在1050℃的高温氧化行为。交流阻抗谱中不同的电学信号分别反映GY-YSZ晶粒和晶界的信息，采用电路拟合的方法对其进行分析。在氧化过程中GY-YSZ的导电机制发生变化，原因是稳定剂在氧化过程中发生扩散导致了O^2-空位和晶格畸变的产生。研究发现，