面内场对第Ⅰ类哑铃畴“切尾”后畴壁内 VBLs解体的影响

来源 :河北师范大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jitic

【摘要】

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实验研究了直流偏场（Hb）和面内场（Hip）联合作用下,液相外延石榴石磁泡薄膜中第Ⅰ类哑铃畴（ID）畴壁中垂直布洛赫线（VBL）的解体.通过实验得到了3个重要的面内场H（1）ip,H＊ip和H（2）ip.通过“切

【作者】

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王丽娜郭革新聂向富

【机构】

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河北师范大学物理科学与信息工程学院

【出处】

：

河北师范大学学报

【发表日期】

：

2006年3期

【关键词】

：

垂直布洛赫线第Ⅰ类哑铃畴直流偏场面内场 “切尾” vertical-Bloch-line （VBL） the first king of hard du

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实验研究了直流偏场（Hb）和面内场（Hip）联合作用下,液相外延石榴石磁泡薄膜中第Ⅰ类哑铃畴（ID）畴壁中垂直布洛赫线（VBL）的解体.通过实验得到了3个重要的面内场H（1）ip,H＊ip和H（2）ip.通过“切尾”实验可以证明面内场对垂直布洛赫线链（VBLs）的丢失有影响;而VBLs的丢失又影响到了ID的行为.

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