【摘 要】
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介绍了大型相控晶闸管、IGBT及IGCT三种兆瓦级新型电力半导体器件的发展、技术特征和应用领域,初步探讨了器件的物理极限和未来的发展方向。
The development, technical ch
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介绍了大型相控晶闸管、IGBT及IGCT三种兆瓦级新型电力半导体器件的发展、技术特征和应用领域,初步探讨了器件的物理极限和未来的发展方向。
The development, technical characteristics and application fields of three new megawatt thyristors, such as large phase controlled thyristors, IGBTs and IGCTs, are introduced. The physical limits of the devices and their future development are also discussed.
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