【摘 要】
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采用电子束蒸发法制备了ZnO薄膜,研究了退火温度及衬底对薄膜的结晶状况以及电学性质的影响.X射线衍射测试结果表明,相同蒸发条件下制备的ZnO薄膜,硅(100)衬底上薄膜晶粒尺寸
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采用电子束蒸发法制备了ZnO薄膜,研究了退火温度及衬底对薄膜的结晶状况以及电学性质的影响.X射线衍射测试结果表明,相同蒸发条件下制备的ZnO薄膜,硅(100)衬底上薄膜晶粒尺寸为73nm,结晶情况明显好于陶瓷和玻璃衬底上的薄膜.退火之后,各种衬底上薄膜的结晶情况相对未退火时都有明显好转;400℃退火时,薄膜逐渐结晶;600℃退火时,ZnO薄膜体现良好的择优生长的趋势,晶粒长大,晶化程度提高,大部分晶粒发生了织构.在400℃退火后,掺入Al2O3的薄膜和未掺杂的ZnO薄膜的电阻率下降了一个多数量级,但掺入M
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