【摘 要】
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采用真空蒸发法和热氧化制备纳米ZnO薄膜,分析掺杂对薄膜结构的影响.实验发现,掺入一定比例的In,可以得到沿c轴择优取向的纳米ZnO薄膜,薄膜结晶度有所下降,影响薄膜沿c轴的择
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,内蒙古大学新能源研究中心
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采用真空蒸发法和热氧化制备纳米ZnO薄膜,分析掺杂对薄膜结构的影响.实验发现,掺入一定比例的In,可以得到沿c轴择优取向的纳米ZnO薄膜,薄膜结晶度有所下降,影响薄膜沿c轴的择优取向.掺Sb可以得到沿c轴择优取向的纳米ZnO薄膜掺.Bi可以改善结晶度,获得强烈沿c轴的择优取向的薄膜.实验发现随In含量的增加,薄膜晶粒尺寸逐渐减小,随Sb含量的增加,晶粒尺寸逐渐增加,而Bi含量的变化对晶粒尺寸基本没有影响.
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