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持续的微电子技术小型化的趋势引发了对纳米结构构建的追求,硅基团簇的性质因其在应用科学和基础科学中的重要性而备受关注。掺入金属原子或氢化可以使悬空键饱和并诱导笼状硅簇的形成。不同的过渡金属掺杂使硅团簇具有了不同的效应。为了寻找能够比较稳定地存在于半导体材料的过渡金属元素,本文详细介绍和比较了不同的过渡金属掺杂对主硅团簇的影响,包括磁效应、稳定结构效应、电子结构效应。