论文部分内容阅读
有一种新开发的半导体材料辉钼矿（molybdenite,MoS2）,其功耗据说仅有硅材料的十万分之一,又能用以制作出尺寸更小的晶体管。瑞士洛桑理工学院的研究人员并指出,这种新一代半导体材料具备能隙（bandgap）的特性也打败石墨烯（graphene）。EPGL指出,辉钼矿是一种矿藏丰富的材料,已经运用在钢铁合金以及做为润滑油的添加剂;但该校的纳米电子与结构实验室是首创开发采用该种材料的半导体组