论文部分内容阅读
269CMOS器件与电路中超薄氧化可靠性的物理和预计模型
【出 处】
：
电子产品可靠性与环境试验
【发表日期】
：
2002年6期
其他文献
ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的栅极肖特基势垒接触退化的主要失效机理是栅金属下沉和栅金属扩散，因而引起有效沟道宽度减小或沟道掺杂浓度的下降。笔者用高频Ｃ－Ｖ法测定试验前后沟道载流子浓度随深度分布的
紫玉山庄的建筑极特别。做为现今大陆规模最大的欧式园林别墅群,从其整体设计到园林布局以至到处林立的西方神化雕像,无不弥漫着浓浓的西方古典艺术和建筑艺术的氛围。而从高
以某城市轨道交通盾构隧道施工下穿铁路桥为工程背景,采用数值模拟和现场试验相结合的方式,对盾构隧道下穿铁路桥变形控制进行研究,并采取数值模拟方法,在盾构穿越前对铁路桥
采用全自动多功能内耗测试仪（ＭＦＩＦＡ），对高Ｔｃ氧化物Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ的低频内耗作了细致的研究。发现Ｌａ２ＣｕＯ４＋δ在１６０Ｋ－４３０Ｋ温区有三个弛豫峰ｐ１、ｐ２、ｐ３，并由变频实验求出它们的驰豫激活能。在激活能分析基础上，我们认为：ｐ１、ｐ２峰源于
本文在简易磁屏蔽室中,用单通道的高温超导rfSQUID梯度计构成心磁图(MCG)测量系统,依照MCG测定部位的约定,测得数例成人胸前多点MCG.不计心动周期随时间的变化,用数据分析软