【摘 要】
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基于多靶射频磁控溅射技术,结合快速光热退火后处理制备了Sb掺杂Si3N4基Si量子点（SiQDs）薄膜。采用透射电镜、掠入射X射线衍射、拉曼光谱和光致发光光谱等手段对薄膜的微结构和
【机 构】
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云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,云南机电职业技术学院,电子科技大学中山学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室中山分实验室
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基于多靶射频磁控溅射技术,结合快速光热退火后处理制备了Sb掺杂Si3N4基Si量子点（SiQDs）薄膜。采用透射电镜、掠入射X射线衍射、拉曼光谱和光致发光光谱等手段对薄膜的微结构和发光特性进行了研究,分析了Sb掺杂对Si-QDs薄膜的微结构和发光特性的影响规律.结果表明,Sb掺杂表现出明显的诱导晶化作用.掺杂的Sb有助于Si原子在Si3N4基质中的扩散并形成Si-QDs.随着Sb掺杂量的增加,Si-QDs的尺寸逐渐增大,薄膜的结晶率Xc有效提高,其PL谱峰随之增强,谱峰的半高峰宽逐渐变窄;由于Si-QDs
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