【摘 要】
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讨论分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路.基于准浮栅NMOS晶体管,对Gilbert混频器电路结构进行改进设计,实现了超低压混频器.基于TSMC 0.25μm CMOS工艺的BS
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讨论分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路.基于准浮栅NMOS晶体管,对Gilbert混频器电路结构进行改进设计,实现了超低压混频器.基于TSMC 0.25μm CMOS工艺的BSIM3V3模型,采用Hspice对混频器进行了仿真,仿真结果显示,该混频器在0.6V的单电源电压下,仍可以对2.4GHz的正弦信号进行混频,转换增益为-21.8dB,三阶输入截止点的值为34.6dB.
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