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SAW器件要求具有低延时温度系数、高机电耦合系数和高传播特性的良好基片材料。迄今为止,还没有一种材料能满足上述要求,为此,人们进行了大量的努力来寻求解决。本文主要叙述具有零温度系数的LST一切石英、双旋转切LiNbO_3、63.6°Y一切LiTaO_3单晶新切型和几种层状结构基片材料的制法和性能。并列举了实验器件的特性。