一种新型Si电子束蒸发器的研制及其应用研究

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Chanco

【摘要】

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我们成功地设计出一种新型的Si电子束蒸发器,并将它应用于Ge/Si(111)量子点的生长.由于采用悬臂式设计,它完全克服了高压短路的问题.电子束蒸发器的性能试验表明,稳定输出功

【作者】

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王科范刘金锋邹崇文徐彭寿潘海滨张西庚

【机构】

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中国科学技术大学国家同步辐射实验室,沈阳聚智科技有限公司

【出处】

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真空科学与技术学报

【发表日期】

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2005年1期

【关键词】

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电子束蒸发量子点缓冲层 SI(111) 输出功率薄膜束流自组装单晶表面 Atomic force microscopyFilm growthMol

【基金项目】

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中国科学院知识创新工程项目

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我们成功地设计出一种新型的Si电子束蒸发器,并将它应用于Ge/Si(111)量子点的生长.由于采用悬臂式设计,它完全克服了高压短路的问题.电子束蒸发器的性能试验表明,稳定输出功率可以控制输出稳定的Si束流.应用这种电子束蒸发器可以在700 ℃,成功沉积出平整的单晶Si薄膜.进一步的试验表明,在这种缓冲层表面可以自组装生长出Ge量子点.

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