【摘 要】
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GaN功率管具有高击穿电压和高开关频率,但其自身也存在一些缺陷,一是没有一个额定的雪崩电压值,二是损耗高以及高开关频率下EMI特性差的问题。针对GaN功率管自身所存在的问题
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GaN功率管具有高击穿电压和高开关频率,但其自身也存在一些缺陷,一是没有一个额定的雪崩电压值,二是损耗高以及高开关频率下EMI特性差的问题。针对GaN功率管自身所存在的问题,提出一种基于MOS管来设计GaN功率管的门级驱动控制电路。通过电流驱动调节电路控制电流的变化率,以此控制GaN功率管的开启,进而改善GaN功率管的EMI性能;通过控制GaN功率管的导通驱动电压以及电容放电产生的栅极关断驱动电压,可精准控制功率管的导通或关断,进而避免误触发。这种基于MOS管设计的高稳定性门级驱动电路,可解决GaN功率管
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