【摘 要】
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为了研究含N’N-二乙基硫脲添加剂的微电铸工艺金属铜填洞机理，采用线性伏安法、循环电压电流溶出法（CVS）、扫描电镜（SEM）以及XRD测量法研究了N’N-二乙基硫脲对微电铸工艺电化学
【机 构】
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天津工业大学机械电子学院,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（No.60574089）,天津工业大学青年基金资助项目（No.029735）
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为了研究含N’N-二乙基硫脲添加剂的微电铸工艺金属铜填洞机理，采用线性伏安法、循环电压电流溶出法（CVS）、扫描电镜（SEM）以及XRD测量法研究了N’N-二乙基硫脲对微电铸工艺电化学行为的影响，并借助塔菲尔方程，研究了微电铸铜反应过程中的电极动力学参数。结果表明，当微电铸铜工艺中加入N’N-二乙基硫脲添加剂时，产生活性极化，提高了铜离子还原时所需的活化能，金属离子的放电速度从2．2214mA／cm^2降低到约0．076mA／cm^2，从而增加了反应时的过电位，促使电极表面晶核成型速度增加，晶体成长速度由
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