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采用湿法在还原气氛下制备了SrS：Eu，Sm电子俘获光存储材料，研究了制备条件（灼烧温度、灼烧时间、助熔剂含量）对样品光激励发光性能的影响。XRD图谱表明，样品在750℃就可以形成SrS晶格。光谱分析表明，先将样品用紫外光饱和激发后，再用980nm半导体激光照射，具有光激励发光现象，发光峰值位于599nm。对这种稀土掺杂硫化物材料的光存储机理进行了探讨。