薄膜厚度对Au/ZnO/n＋-Si薄膜压敏电阻器阈值电压的影响

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：woshizhaozhiqiang

【摘要】

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本文采用直流磁控溅射法和多次沉积与掩膜技术,在n＋Si（100）衬底上制备了一系列厚度不同的ZnO薄膜,表面镀Au的探针与ZnO/n＋-Si构成了一系列ZnO层厚不同的Au/ZnO/n＋-Si薄膜压敏电阻

【作者】

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季振国王玮丽毛启楠席俊华

【机构】

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杭州电子科技大学电子信息学院,浙江大学硅材料国家重点实验室

【出处】

：

功能材料与器件学报

【发表日期】

：

2011年2期

【关键词】

：

ZnO薄膜压敏电阻器阈值电压薄膜厚度 ZnO thin films varistors threshold voltage thin film thick

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本文采用直流磁控溅射法和多次沉积与掩膜技术,在n＋Si（100）衬底上制备了一系列厚度不同的ZnO薄膜,表面镀Au的探针与ZnO/n＋-Si构成了一系列ZnO层厚不同的Au/ZnO/n＋-Si薄膜压敏电阻器。利用X射线衍射确定沉积的ZnO薄膜为高度c轴（0002）取向的晶体薄膜,利用紫外-可见透射光谱对沉积的ZnO薄膜的厚度进行了定标。分别测量了不同厚度的处Au/ZnO/n＋-Si结构的I-V特性曲线,从而得到了阈值电压与ZnO薄膜厚度之间的关系。结果表明：随着ZnO薄膜厚度的增加,Au/ZnO/n＋-S

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