【摘 要】
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利用电化学沉积方法在重离子径迹模板中制备出直径从45 nm到200 nm,长径比达700的金纳米线阵列,利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对所制备金纳米线的形貌及晶体结构
【机 构】
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中国科学院近代物理研究所,中国科学院研究生院
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利用电化学沉积方法在重离子径迹模板中制备出直径从45 nm到200 nm,长径比达700的金纳米线阵列,利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对所制备金纳米线的形貌及晶体结构进行分析,结果表明,在1.5 V(无参比电极)沉积电压下所制备出的直径为200 nm金纳米线沿[100]晶向具有较好择优取向.利用紫外一可见光谱(UV-Vis)对镶嵌在透明模板中平行排列的金纳米线阵列光学特性进行研究,发现金纳米线直径为45nm时,其紫外可见光谱在539 nm处有强烈吸收峰,随着金纳米线直径增加,吸收峰红移,当金纳米线直径达到200 nm时,其吸收峰峰位移至700 nm.结合金纳米颗粒相关表面等离子体共振吸收效应对实验结果进行了讨论.
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