异质结耗尽层基区侧复合对突变HBT重要性分析

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zyhui1984
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基于热场发射-扩散载流子输运模型,在电流连续性方程中包含异质结(E-B结)耗尽层基区侧复合电流的前提下,推导出了描述突变HBT电流特性的新解析方程.在此基础上,探讨了对E-B结耗尽层基区侧复合电流各不同考虑情况下的HBT电流计算结果的差异程度.结果表明:在较高集电极电流密度处,E-B结耗尽层基区侧的复合电流很重要;此外,在电流连续性方程中包含E-B结耗尽层基区侧的复合电流,这在更高集电极电流密度处也是必要的.
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