【摘 要】
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基于SMIC 65nm CMOS工艺,设计了一种带曲率补偿的低压高电源抑制比（PSRR）带隙基准电压源。采用带曲率补偿的电流模结构,使输出基准电压源低于1.2V且具有低温漂系数。在基本的带
【机 构】
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重庆邮电大学光电工程学院; 模拟集成电路重点实验室;
【基金项目】
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模拟集成电路重点实验室基金资助项目(614280201010101)
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基于SMIC 65nm CMOS工艺,设计了一种带曲率补偿的低压高电源抑制比（PSRR）带隙基准电压源。采用带曲率补偿的电流模结构,使输出基准电压源低于1.2V且具有低温漂系数。在基本的带隙基准电路基础上,增加基准核的内电源产生电路,显著提高了电路的PSRR。采用Cadence Spectre软件,在1.8V电压下对电路进行仿真。结果表明,在1kHz以下时,PSRR为-95.76dB,在10kHz时,PSRR仍能达到88.51dB,在-25℃150℃温度范围内的温度系数为2.39×10-6/℃。
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