【摘 要】
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研究了10 keV Cl– 离子穿越Al2O3绝缘微孔膜的物理过程,发现穿越的Cl–其分布中心在初束中心即0°附近,Cl–离子穿透率下降与几何穿透一致,这是典型的直接几何穿越有一定角
【机 构】
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兰州大学核科学与技术学院,兰州,730000兰州大学核科学与技术学院, 兰州 730000;华北电力大学核工程与技术学院, 北京 102206;RIKEN Nishina Center, RIKEN,
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研究了10 keV Cl– 离子穿越Al2O3绝缘微孔膜的物理过程,发现穿越的Cl–其分布中心在初束中心即0°附近,Cl–离子穿透率下降与几何穿透一致,这是典型的直接几何穿越有一定角发散的微孔导致的结果;而出射的Cl0和Cl+以微孔轴向为中心分布,Cl+和Cl0穿透率下降慢于几何穿透.模拟计算发现沉积电荷会使出射粒子中Cl–占主要成分,并使出射Cl–角分布中心移动到微孔轴向方向而随微孔膜倾角移动;而在不考虑沉积电荷的情况下,计算结果较好地符合了实验结果.通过分析在不同倾角下散射过程对出射粒子的角分布和电荷态分布的影响,发现绝大部分的Cl0是通过一次和两次散射出射的,其中一次散射出射的Cl0占主要成分,从而导致出射的Cl0沿微孔轴向出射而Cl+主要是经过一次碰撞出射.这导致了随倾角增大,出射的Cl0穿透率下降速度比Cl+小,Cl0所占比例相对增大较快,从而导致观测到的Cl+/Cl0的比例下降.本文结果更仔细地描述了低能离子穿越绝缘体微孔的物理机理,印证了之前实验和理论工作的结果,发现在10 keV以上能区的Cl–离子穿越绝缘微孔膜的过程中,沉积电荷并未起到主要作用,其主要穿透特征是散射过程造成的.
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