论文部分内容阅读
在对传统带隙基准源基本原理分析的基础上,提出了一种适用于单片集成AC/DC变换器的带隙基准电路。该电路采用无运放的带隙结构, 避免了运放失调电压对基准源的影响。基于LITEON 1μm HV BiCMOS工艺,Hspice仿真结果表明,该基准源产生1.238V的基准电压,电源抑制比高达60dB,在-40℃-140℃温度范围内,基准电压仅变化3.9mV,温度系数为16.6×10^-6/℃, 完全满足AC/DC变换器对其性能的要求。