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研究了Ｓｉ衬底上ＳｉＧｅＣ合金薄膜的生长，以Ｃ２Ｈ４为Ｃ源、采用快眼低压化学气相淀积（ＲＴＰ／ＶＬＰ－ＣＶＤ）的非平衡生长技术，在Ｓｉ（１００）衬底上生长出具有一定代位式Ｃ含量的硅基ＳｉＧｅＣ合金。实验表明：较低的生长温度和较高的ＳｉＨ４／Ｃ２Ｈ４流量比有利于代位式Ｃ原子的形成和材料晶体质量的提高。