Stress and strain analysis of Si-based Ⅲ-V template fabricated by ion-slicing

来源 :中国物理B:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dangyuanq4

【摘要】

：

Strain and stress were simulated using finite element method(FEM)for threeⅢ-V-on-Insulator(Ⅲ-VOI)structures,i.e.,InP/SiO2/Si,InP/Al2O3/SiO2/Si,and GaAs/Al2O3/

【作者】

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赵舒燕宋禹忻梁好金婷婷林家杰岳丽游天桂王长欧

【机构】

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StateKeyLaboratoryofFunctionalMaterialsforInformatics,CenterofMaterialsScienceandOptoelectronicsEngi

【出处】

：

中国物理B:英文版

【发表日期】

：

2020年7期

【关键词】

：

Ⅲ-VOI template finite element method(FEM) critical thickness

【基金项目】

：

Project supported by the National Key Research and Development Program of China(Grant No.2017YFE0131300),the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.U1732268,61874128,11622545,61851406,

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Strain and stress were simulated using finite element method(FEM)for threeⅢ-V-on-Insulator(Ⅲ-VOI)structures,i.e.,InP/SiO2/Si,InP/Al2O3/SiO2/Si,and GaAs/Al2O3/SiO2/Si,fabricated by ion-slicing as the substrates for optoelectronic devices on Si.The thermal

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