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采用sol-gel工艺低温制备了Si基Bi4-xLaxTi3O12（BLT）铁电薄膜。研究了La掺杂量对薄膜微观结构、介电和铁电性能的影响。结果表明，600-650℃退火处理的BLT薄膜表面平整无裂纹，晶粒均匀，无焦绿石相或其它杂相，薄膜为多晶生长；La掺杂量x在0．5～0．85的BLT薄膜介电与铁电性能优良，其ετ和tanδ分别介于284-289和（1．57-1．63）×10^-2，4V偏压下薄膜的漏电流密度低于10^-8A／cm^2，Pτ可这（13．0～17．5）×10^-6C／c