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本文提出了一种局部力场模型,并讨论了其初值的可迁性,结合GF矩阵方法对非晶硅中硅氢键的力场,振动频率及简正模式作了研究,对其观察基频谱带进行了理论归属,获得了与实验一致的结果。
非晶硅中硅氢键的全振动分折
【摘 要】
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本文提出了一种局部力场模型,并讨论了其初值的可迁性,结合GF矩阵方法对非晶硅中硅氢键的力场,振动频率及简正模式作了研究,对其观察基频谱带进行了理论归属,获得了与实验一
【机 构】
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四川大学化学系,四川大学化学系610064,610064,610064
【出 处】
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化学研究与应用
【发表日期】
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1990年3期
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