【摘 要】
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SiC具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等特点在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面
【机 构】
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中国科学院半导体研究所!北京市,100083,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
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SiC具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等特点在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景.本文综述了半导体SiC体单晶和薄膜的生长及其器件研制的概况.
SiC has the characteristics of large forbidden band width, high thermal conductivity, large saturated electron drift velocity, high critical breakdown electric field and low dielectric constant. In the high frequency, high power, high temperature and radiation resistant semiconductor devices and UV detection Devices and short-wave light-emitting diodes and other aspects of the broad application prospects.In this paper, the overview of semiconductor SiC single crystal and thin film growth and device development overview.
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