切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
期刊论文
徐汇区出台“合同能源管理项目无抵押融资”
徐汇区出台“合同能源管理项目无抵押融资”
来源 :上海节能 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hgs061268109
【摘 要】
:
近日徐汇区政府宣布,凡注册在徐汇的节能服务公司,为纳入区节能考核的用能单位提供合同能源管理的,融资条件将放宽,凭合同能源管理项目就可向银行提出无抵押融资申请。这在上海尚
【作 者】
:
区经委
【出 处】
:
上海节能
【发表日期】
:
2011年11期
【关键词】
:
合同能源管理
管理项目
融资
抵押
徐汇区
节能服务公司
用能单位
区政府
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
近日徐汇区政府宣布,凡注册在徐汇的节能服务公司,为纳入区节能考核的用能单位提供合同能源管理的,融资条件将放宽,凭合同能源管理项目就可向银行提出无抵押融资申请。这在上海尚属首创。
其他文献
非封闭断层的试井解释方法
提出了“不完全‘镜像’反映”新方法.应用该方法解决了非封闭断层的试井解释问题.该方法不仅能够确定测试井到断层的距离,同时能够确定断层的导流能力.本文还定义了断层有效
期刊
非封闭断层
试井
油井
导流能力
解释法
断层
Pressure drawdown test Well testing interpretation Flow
用可编程逻辑器件EPM7128SLC84实现细分电路
用可编程逻辑器件EPM7工28SLC84实现细分电路,并说明了用EDA把可编程逻辑器件设计为专用集成电路的具体方法.
期刊
可编程逻辑器件
细分电路
数字电路
EPM7128SLC84
programmable logic device
subdivided electric cir
DC—1.5GHzGaAs单片集成跨阻放大器
介绍一种采用8个砷化镓FET和7个二极管的单片集成跨阻放大器,其结果良好,频率为DC-1.5GHz,增益Ga≥18dB,噪声系数Fn≤4.3dB(f=400MHz,Rs=RL=50Ω)。
期刊
单片集成电路
砷化镓
跨阻放大器
Monomhic integration
Amplifier
X波段宽带功率放大器
介绍了8 ̄12GHz宽带功率放大器的设计、制作。放大器主要技术指标:工作频率8 ̄12GHz,增益≥23dB,1dB压缩输出功率≥27dBm,输入输出驻波比≤2:1。
期刊
X波段
宽带
功率放大器
设计
制作
XbandBroadband power amplifierDesignFabrication
SiC器件—物理与数值模拟
从文献中摘出了6H碳化硅(6H-SiC)的重要材料参数并应用到2-D器件模拟程序PISCES和BREAKDOWN及1-D程序OSSI中。6H-SiCp-n结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达1000K温度下应用的可能性。6H-SiC1200Vp-n^-1二极管与相应硅(Si)二极管
期刊
碳化硅
半导体器件
物理模拟
数值模拟
应力场与渗流场耦合分析在油气预测中的应用
渗流场与应力场的耦合作用在油气二次运移过程中突出地表现为应力场影响渗流场。地应力是影响储层沉积水水头的主要因素,地应力梯度是油气水运移的主要驱动力。油气二次运移可
期刊
应力场
渗流场耦合
油气预测
油气运移
Seepage
Stress field
Coupling
Oil and gas migration
Seco
LEC—InP晶体中孪晶现象的分析
通过对产生孪晶的工艺条件的研究比较,分析了LEC-InP晶体中产生孪晶的原因。实验证明,建立一个稳定合适的热场、保持B2O3的透明度、控制好掺杂量等是减少孪晶的必要条件。
期刊
LEC-InP晶体
孪晶
磷化铟
工艺
LEC-InP crystal
Twin
创新节能管理的领路人——上海大众汽车有限公司陈捷同志先进事迹
陈捷同志现任上海大众汽车有限公司规划高级总监。长期以来,他努力提升节能减排基础管理,坚持以提高能源利用效率和资源综合利用为核心降低能源消耗,为企业节能减排做出了卓越贡
期刊
上海大众汽车有限公司
节能管理
先进事迹
创新
资源综合利用
能源利用效率
节能减排
“十一五”
高速电路与MCM互连线的分析
介绍了高速电路与 MCM互连线分析方面的研究与开发工作 ,包括两种新的传输线瞬态分析方法 ,及基于 SPICE的互连线分析系统。
期刊
MCM互连线
高速集成电路
砷化镓
电路分析
Interconnect analysisTransmission line analysisCircuit si
2英寸GaAs快速热退火技术研究
为配合2000门GaAs超高速门列及GaAs超高速分频器等2英寸GaAs工艺技术研究,开展了2英寸GaAs快速热退火技术研究,做出了阈值电压为0~0.2V,跨导大于100mS/mm的E型GaAsMESFET和夹断电压为-0.4~-0.6V,跨导大于100mS/mm的低阈值D型GaAsMESFET。
期刊
砷化镓
快速热退火
离子注入
GaAs
RTA
Ion implantation
Very-high speed gate array
与本文相关的学术论文