【摘 要】
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据《Semiconductor FPD World》2007年第10期报道,日本新日铁公司在计算机模拟技术的基础上,开发了坩锅晶体生产时可控温度分布和升华蒸气物质转移的工艺,使100 mm的SiC晶圆
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据《Semiconductor FPD World》2007年第10期报道,日本新日铁公司在计算机模拟技术的基础上,开发了坩锅晶体生产时可控温度分布和升华蒸气物质转移的工艺,使100 mm的SiC晶圆大幅度降低微管缺陷密度,其微管分布仅为
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