H原子在W低指数面上的吸附位和吸附态

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应用原子和表面簇合物相互作用的5参数Morse势及由5参数Morse势组装推广的LEPS方法对H-W低指数表面吸附体系进行了研究,并获得了全部临界点特性.计算结果表明,低覆盖度下,H原子优先吸附在W(100)面的内层吸附位二层桥位B’,获得156meV的垂直振动频率,随着覆盖度的增加,H原子稳定吸附在表层的五重洞位(二层顶位)、桥位及顶位.内层吸附位的优先吸附,对与其邻近的表面吸附位的临界点性质有一定影响.在W(110)面上只存在三重洞位的稳定吸附态,垂直振动频率为151meV.在W(111)面上存在三种
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