钛酸锶的还原工艺和晶粒性质

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钛酸锶的还原工艺和晶粒性质范仰才等(基础部)掺杂钛酸锶陶瓷可用作内边界层电容,其表观介电常数可高达105.这种晶界层陶瓷的研制过程分为两步:先将陶半导体化以使晶粒具有高电导,再令晶界层绝缘化.通常关心的是两步工艺完成后晶界层的性质.对只经第一步而未经...
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