【摘 要】
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High performance 1.3 μm InGaAsN superluminescent diodes (SLDs) were fabricated with Schottky contact. The structure was grown by metal organic chemical vapor d
【出 处】
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Science in China(Series E:Technological Sciences)
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High performance 1.3 μm InGaAsN superluminescent diodes (SLDs) were fabricated with Schottky contact. The structure was grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). Output power of 3 mW was obtained in continuous wave (CW) mode at room temperature. The full width at half maximum (FWHM) of the emission spectrum was 30 nm. The devices operated up to 100℃.
The performance was grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). The full power output of 3 mW was obtained in continuous wave (CW) mode at room temperature. The full width at half maximum (FWHM) of the emission spectrum was 30 nm. The devices operated up to 100 ° C.
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