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采用喷雾热解两步法、高温固相法分别制备了纯相的α’-Sr2SiO4:Eu^2+和β-Sr2SiO4:Eu^2+荧光体.利用高斯函数拟合,首次确定了每个物相荧光发射谱的具体峰位,即α’-Sr2SiO4:Eu^2+的发射峰为489.1 nm/555.1 nm,β-Sr2SiO4:Eu^2+的发射峰位为468.8 nm/539.7 nm/593.2 nm.发现β-Sr2SiO4:Eu^2+中存在两个反常的发射峰,一个峰位随激发波长的变化而在局部出现振荡,另一个对于β-Sr2SiO4:Eu^2+晶格而言是一个额外