【摘 要】
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利用异质外延技术在蓝宝石衬底上生长了GaN光电发射层,为降低发射层和衬底间的失配,在衬底和发射层间分别采用了AlN和Al1-x GaxN两种不同的缓冲层材料。对具有不同缓冲层材料
【机 构】
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商丘师范学院电子电气工程学院,商丘职业技术学院机电系,南京理工大学电子工程与光电技术学院
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(91433108)
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利用异质外延技术在蓝宝石衬底上生长了GaN光电发射层,为降低发射层和衬底间的失配,在衬底和发射层间分别采用了AlN和Al1-x GaxN两种不同的缓冲层材料。对具有不同缓冲层材料的样品进行了表面清洗与激活,在激活结束后分别测试了两种样品的光谱响应,其最大量子效率分别为13%和20%,依据激活后光电阴极的光谱响应作为评估标准,可以得出,采用组份渐变Al1-x GaxN作为缓冲层激活出的阴极具有更高的光电发射性能,从而实现了GaN光电阴极结构的优化设计。
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