ZnSe单晶的气相生长及光学性质

来源 :功能材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yangjian1235

【摘要】

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用改进的化学气相输运技术(CVT),以Zn(NH4)3Cl5为新的气相输运剂,直接从单质Zn和Se一步在封密管中生长了ZnSe单晶,升华温度1001～1020℃,管内温差＜4℃.经过两周生长,得到8mm&#21

【作者】

：

李焕勇介万奇

【机构】

：

西北工业大学凝固技术国家重点实验室

【出处】

：

功能材料

【发表日期】

：

2003年5期

【关键词】

：

化学气相输运光学性质输运剂 ZnSe单晶气相生长 CVT optical properties Zn(NH_4)_3Cl_5 ZnSe single c

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用改进的化学气相输运技术(CVT),以Zn(NH4)3Cl5为新的气相输运剂,直接从单质Zn和Se一步在封密管中生长了ZnSe单晶,升华温度1001～1020℃,管内温差＜4℃.经过两周生长,得到8mm×7mm×0.8mm的绿色ZnSe晶体.XRD表明晶体表面为(111)面;受气固界面形貌影响,双晶衍射半高峰宽为50s;PL谱由DPA和SA两个发光峰组成;并研究了晶体片的吸收光谱、荧光光谱、反射光谱和红外透过等光学性质.

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