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研究了0.5um SOI CMOS器件和电路,开发出成套的0.5um SOI CMOS工艺,经过工艺投片,获得了性能良好的器件和电路,其中当工作电压为3V时,0.5um 101级环振有延迟为42ps,同时,对部分耗尽SOI器件特性,如“浮体”效应,kink效应和反常亚阈值特性进行了讨论。