金属／n型半导体（Au／n—GaN）肖特基势垒的研究

来源 :云南师范大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zw198518

【摘要】

：

材料Au/nGaN在600℃温度淬火后，利用电流－电压测量、XPS谱研究金Au和n型GaN半导体形成的接触势垒。电流－电压测量得到肖特基势垒平均高度和理想因子分别为1.24eV、1.03，理想因子

【作者】

：

杨海李朝友蔡武德许梅

【机构】

：

云南师范大学物理系,北京大学电子系

【出处】

：

云南师范大学学报：自然科学版

【发表日期】

：

2001年3期

【关键词】

：

肖特基势垒理想因子受主态氮化镓半导体金 Schottky Barrier Ideality Factor Acceptor States

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材料Au/nGaN在600℃温度淬火后，利用电流－电压测量、XPS谱研究金Au和n型GaN半导体形成的接触势垒。电流－电压测量得到肖特基势垒平均高度和理想因子分别为1.24eV、1.03，理想因子为1.12的势垒最大高度为1.35eV。XPS数据表明：600℃温度的淬火导致能带向上弯曲0.35eV，随着金的沉积在同一方向产生进一步的能带弯曲0.25eV。我们的结论可以用Cowley－Sze模型来解释，结论表明：在GaN表面有受主态密度

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