CMOS晶体管的一体化模拟

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建立了一个能够从基本工艺过程到电路设计各阶段对半导体器件的物理和电学特性进行模拟的计算机程序库;一维和二维特性都可以表征;本文介绍了这些程序,详细说明了这些程序相互连接的方式,以便最大限度扩大用户范围和实现2μmCMOS工艺电路的全面模拟。 A library of computer programs that simulates the physical and electrical characteristics of semiconductor devices from the basic process to the circuit design stage is established; one-dimensional and two-dimensional characteristics are all characterized; this paper describes these programs, detailing how these programs are interconnected Way to maximize user coverage and enable full simulation of 2μm CMOS process circuitry.
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