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分析了硅双极晶体管电流增益在低温下减少的原因，通过优化设计，研制出在液氮温度睛具有高增益的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ，并分析了工作的机理。
新型低温高增益SiGe／Si HBT的研究
【摘 要】
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分析了硅双极晶体管电流增益在低温下减少的原因，通过优化设计，研制出在液氮温度睛具有高增益的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ，并分析了工作的机理。
【机 构】
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北京工业大学电子工程系
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1997年6期
【基金项目】
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北京市自然科学基金
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