Ti3SiC导电陶瓷粉体的制备

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将单质粉体Ti,Si和C作为实验原料,按着原子配比(Ti∶Si∶C=3∶1∶2)将原料粉体称量混合后,利用高能球磨机和放电等离子设备进行Ti3SiC导电陶瓷粉体的制备。通过机械合金化工艺(球磨转速550 rpm,球料比10∶1,磨球直径12 mm)球磨10 h,生成以Ti3SiC为主晶相的混合粉体,其中Ti3SiC含量为83%,同时研究了放电等离子温度对混合粉体中Ti3SiC的含量和形貌的影响。研究表明:利用放电等离子工艺可提高球磨粉体中的Ti3SiC含量,当烧结温度为1000℃时,球磨粉体中Ti3SiC
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